像素电路、像素电路结构以及图像传感器
授权
摘要
本实用新型描述了一种像素电路，包括：光电转换元件、电荷存储转移电路和读出电路；电荷存储转移电路包括电荷转移晶体管、电荷传输晶体管以及位于二者之间的电荷存储单元，电荷存储单元上设置有控制栅，以在积分电荷信号输出过程中，在电荷转移晶体管与电荷存储单元之间形成电荷转移驱动电势，并在电荷存储单元与电荷传输晶体管之间形成信号输出驱动电势以输出积分电荷信号。本实用新型还包括上述像素电路的结构以及一种CMOS图像传感器。本实用新型通过在积分电荷信号输出过程中，形成从电荷转移晶体管到电荷存储单元再到电荷传输晶体管的电荷流通路径，减少电荷传输过程中电荷的残留，有效的改善光电转换元件中的电子传输效率。
基本信息
专利标题 ：
像素电路、像素电路结构以及图像传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123302147.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-25
授权号 ：
CN216700151U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
王倩
申请人 ：
思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
姚泽鑫
优先权 ：
CN202123302147.0
主分类号 ：
H04N5/359
IPC分类号 ：
H04N5/359 H04N5/374
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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