图像传感器的像素结构

授权

摘要

本实用新型提供一种图像传感器的像素结构，通过在像素子阵列之间设置有背面深槽隔离结构，同一像素子阵列内部的多个像素单元之间没有背面深槽隔离结构，使得像素子阵列内部相邻像素单元之间的高能离子注入隔离可以取消或者变窄，减少了高能离子注入所带来的缺陷和噪声，提高了图像传感器的信噪比。像素子阵列内部允许离子注入隔离区域深度小于感光二极管深度，让感光二极管底部相互连接，以增加感光二极管的体积，进而提高像素单元的满阱容量。像素子阵列之间的背面深槽隔离和高能离子注入的显影周期放大到像素尺寸的数倍大小，显影后光阻与衬底之间的接触面积明显增加，因此显影过程光阻倒伏的现象可以得到明显改善，提高了工艺可靠性。

基本信息

专利标题：

图像传感器的像素结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021343827.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-10

授权号：

CN212967705U

授权日：

2021-04-13

发明人：

赵立新付文黄琨

申请人：

格科微电子（上海）有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202021343827.X

主分类号：

H01L27/146

IPC分类号：

H01L27/146