CMOS图像传感器的图像像素

专利权的终止

摘要

本发明涉及一种CMOS图像传感器的图像像素，其中作为暗电流源的暗二极管直接连接至光电二极管，使得在图像像素中产生的暗电流能够被最小化。此外，由于能够减小可能由暗电流产生的噪声，所以获得高信噪比，并且提高了动态范围和低照度特性。另外，能够改善高温下的运行特性。根据本发明的CMOS图像传感器的图像像素包括：光电转换元件，连接至第一节点和接地端子；电流源，连接至第一节点和电源端子；第一开关，连接至第二节点、电源端子、以及第一节点，并且通过使用在第一节点中积累的信号电荷来改变连接至第一节点的节点的电势；第二开关，连接至第一开关，并且接收行选信号；以及第三开关，连接在第一节点与电源端子之间，并且接收复位信号。

基本信息

专利标题：

CMOS图像传感器的图像像素

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1885913A

申请号：

CN200610057216.7

公开（公告）日：

2006-12-27

申请日：

2006-03-07

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

朴得熙崔愿太姜信在高主烈

申请人：

三星电机株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

李伟

优先权：

CN200610057216.7

主分类号：

H04N5/335

IPC分类号：

H04N5/335 H04N3/15