分离SEL CMOS图像传感器像素
公开
摘要
描述了用于实现分离选择块(分离SEL)互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)像素物理架构的技术，例如，用于降低低光应用环境中的噪声。分离SEL CIS像素物理架构可包括具有一个或多个光电二极管的像素块。在光电二极管上方，可以有：第一氧化物扩散区，其上设置有复位块和增益块；以及其上设置有选择块的第二氧化物扩散区。在光电二极管下方，可以有第三氧化物扩散区，其上设置有源极跟随器(SF)块(例如，方栅SF晶体管)。可以通过一组光电二极管布线迹线，以将SF块的源与选择块耦合。该架构允许物理栅极长度和/或其他特征的显著增加。
基本信息
专利标题 ：
分离SEL CMOS图像传感器像素
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114567737A
申请号 ：
CN202210213738.0
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高云飞宇鑫·德斯蒙德·张吴泰锡萧锦文
申请人 ：
深圳市汇顶科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田保税区腾飞工业大厦B座13层
代理机构 ：
北京龙双利达知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙涛
优先权 ：
CN202210213738.0
主分类号 ：
H04N5/374
IPC分类号 ：
H04N5/374 H04N5/357
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
