图像传感器和成像像素

授权

摘要

本公开涉及一种图像传感器和成像像素。图像传感器包括多个像素，每个像素包括：在半导体衬底中竖直地延伸的第一导电类型的掺杂光敏区域；比光敏区域更重地掺杂有第一导电类型的电荷收集区域，电荷收集区域在衬底中从衬底的上表面竖直地延伸并且被布置在光敏区域上方；以及竖直堆叠，其包括竖直传输栅极和竖直电绝缘壁，该堆叠穿过衬底并与电荷收集区域接触，该栅极被布置在衬底的上表面侧上并且比电荷收集区域更深地穿透到衬底中。

基本信息

专利标题：

图像传感器和成像像素

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021414996.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-17

授权号：

CN214336715U

授权日：

2021-10-01

发明人：

F·罗伊A·苏勒

申请人：

意法半导体（克洛尔2）公司

申请人地址：

法国克洛尔

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

董莘

优先权：

CN202021414996.8

主分类号：

H01L27/146

IPC分类号：

H01L27/146