图像传感器的像素结构

授权

摘要

本实用新型提供一种图像传感器的像素结构，通过设置位于浮置扩散区与传输晶体管之间的多晶硅结构，增加了浮置扩散区与传输晶体管的间距，减少了浮置扩散区和传输晶体管之间重叠区的面积，减小了栅诱导漏极泄漏电流效应，保证器件性能，通过多晶硅结构包围浮置扩散区，以实现浮置扩散区注入工艺与接触孔刻蚀工艺的自对准，减少了由于接触孔刻蚀位置的偏移而导致的暗电流或白点的产生，此外由于增加的多晶硅结构占据了原有浮置扩散区的部分位置，减小了浮置扩散区的面积，降低了浮置扩散区的电容，提高了浮置扩散区的转化增益能力，保证了输出电压信号范围，改善了图像传感器的整体性能。

基本信息

专利标题：

图像传感器的像素结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020633507.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-24

授权号：

CN212625579U

授权日：

2021-02-26

发明人：

赵立新张浩然付文

申请人：

格科微电子（上海）有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202020633507.1

主分类号：

H01L27/146

IPC分类号：

H01L27/146 H04N5/369