测距像素结构及TOF图像传感器
授权
摘要
本实用新型属于图像传感器技术领域，涉及一种TOF图像传感器的测距像素结构及TOF图像传感器。其中，TOF图像传感器的测距像素结构，包括衬底、第一收集节点、第二收集节点及两个门电极。第一收集节点和第二收集节点并列设置于衬底中，均用于收集周围的光生电荷。两个门电极并列设置于衬底中，且位于第一收集节点和第二收集节点之间，用于在衬底中产生导流电场，以将导流电场内的光生电荷导向第一收集节点或第二收集节点。其中，两个门电极的外壁上均包覆有氧化层。因此，本实施例提供的测距像素结构的静态功耗很低，使得应用本实用新型提供的测距像素结构的TOF图像传感器能够具有功耗低的优点。
基本信息
专利标题 ：
测距像素结构及TOF图像传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022223953.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
CN212695152U
授权日 ：
2021-03-12
发明人 ：
戴顺麒任冠京莫要武石文杰侯金剑
申请人 ：
思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
代理机构 ：
上海波拓知识产权代理有限公司
代理人 ：
张媛
优先权 ：
CN202022223953.8
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 G01S17/36 G01S17/894
相关图片
法律状态
2021-03-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212695152U.PDF
PDF下载
