TOF图像传感器像素结构及测距系统
实质审查的生效
摘要
本发明属于图像传感器技术领域，涉及一种TOF图像传感器像素结构及测距系统，其中，TOF图像传感器像素结构，包括光传感器及传输电路。光传感器包括电位逐级递减的第一感光区域、第二感光区域及第三感光区域，用于产生电位差，协助自身产生的电荷流向与第三感光区域连接的传输电路。因此，本发明通过电位从高到低的第一感光区域、第二感光区域及第三感光区域能够将光传感器产生电荷快速的传输至传输电路，从而能够使得该电荷快速的传输到存储单元(例如存储节点或存储电容)，故而提高了光电二极管产生的电荷的传输效率，进而能够提高测距精度。
基本信息
专利标题 ：
TOF图像传感器像素结构及测距系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114339086A
申请号 ：
CN202011066330.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
戴顺麒任冠京莫要武石文杰侯金剑
申请人 ：
思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
代理机构 ：
上海波拓知识产权代理有限公司
代理人 ：
张媛
优先权 ：
CN202011066330.2
主分类号 ：
H04N5/341
IPC分类号 ：
H04N5/341 H04N5/359 G01S17/08
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H04N 5/341
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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