TOF图像传感器像素结构及测距系统
授权
摘要
本实用新型属于图像传感器技术领域，涉及TOF图像传感器像素结构及测距系统，TOF图像传感器像素结构，包括电场生成栅极、光传感器及传输电路。传输电路与光传感器的下端连接，用于接收光传感器产生的电荷。电场生成栅极覆盖光传感器的上端，用于在加负压时制造一个恒定的电场，以协助电荷传输至传输电路。因此，本实用新型通过加负压的电场生成栅极，使得光传感器内产生电位差，从而制造一个恒定的电场，进而能够将光传感器产生电荷快速的传输至传输电路，进一步使得该光传感器产生的电荷快速的传输到存储单元(例如存储节点或存储电容)，故而，本实用新型提高了光电二极管产生的电荷的传输效率，进而能够实现提高测距精度的目的。
基本信息
专利标题 ：
TOF图像传感器像素结构及测距系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022223692.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
CN212696100U
授权日 ：
2021-03-12
发明人 ：
戴顺麒任冠京莫要武石文杰侯金剑
申请人 ：
思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
代理机构 ：
上海波拓知识产权代理有限公司
代理人 ：
张媛
优先权 ：
CN202022223692.X
主分类号 ：
H04N5/341
IPC分类号 ：
H04N5/341 H04N5/359 G01S17/08
法律状态
2021-03-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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