TOF图像传感器像素结构及测距系统
实质审查的生效
摘要
本发明属于图像传感器技术领域,涉及TOF图像传感器像素结构及测距系统,其中,TOF图像传感器像素结构,包括电场生成栅极、光传感器及传输电路。传输电路与光传感器的下端连接,用于接收光传感器产生的电荷。电场生成栅极覆盖光传感器的上端,用于在加负压时制造一个恒定的电场,以协助电荷传输至传输电路。因此,本发明通过在光传感器上端设置能够加负压的电场生成栅极,使得光传感器内产生电位差,从而制造一个恒定的电场,进而能够将光传感器产生电荷快速的传输至传输电路,进一步使得该光传感器产生的电荷快速的传输到存储单元(例如存储节点或存储电容),故而,本发明提高了光电二极管产生的电荷的传输效率,进而能够实现提高测距精度的目的。
基本信息
专利标题 :
TOF图像传感器像素结构及测距系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114339087A
申请号 :
CN202011069498.9
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2020-09-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
戴顺麒任冠京莫要武石文杰侯金剑
申请人 :
思特威(上海)电子科技股份有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
代理机构 :
上海波拓知识产权代理有限公司
代理人 :
张媛
优先权 :
CN202011069498.9
主分类号 :
H04N5/341
IPC分类号 :
H04N5/341 H04N5/359 G01S17/08
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H04N 5/341
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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