CMOS图像传感器的像素结构
授权
摘要
本实用新型提供一种CMOS图像传感器的像素结构，所述图像传感器包括多个阵列排布的像素单元，至少两个相邻像素单元构成子像素单元矩阵，每个子像素单元矩阵共用一组读出电路，在所述子像素单元矩阵的横向一侧和纵向一侧均设置有读出电路的晶体管，所述晶体管包括源跟随晶体管、复位晶体管。本实用新型的CMOS图像传感器的像素结构，通过在子像素单元矩阵的横向一侧和纵向一侧均设置有读出电路的晶体管，从而降低了版图设计难度，减少了工艺难度和成本，提高了成像质量，提高了图像传感器的整体性能。
基本信息
专利标题 ：
CMOS图像传感器的像素结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921496901.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-10
授权号 ：
CN210516725U
授权日 ：
2020-05-12
发明人 ：
李杰
申请人 ：
格科微电子（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921496901.9
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H04N5/374
法律状态
2020-05-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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