图象传感器以及形成有源像素传感器单元结构的方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种新型有源像素传感器(APS)单元结构及其制造方法。具体地，形成具有预掺杂转移栅极的图象传感器APS单元，其避免了由后续制造步骤引起的Vt的变化。根据本发明的优选实施例，图象传感器APS单元结构包括掺杂的p型钉扎层和n型掺杂栅极。另外提供一种形成具有预掺杂转移栅极和掺杂钉扎层的图象传感器APS单元的方法。预掺杂转移栅极防止部分栅极变成p型掺杂。

基本信息

专利标题：

图象传感器以及形成有源像素传感器单元结构的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1812138A

申请号：

CN200510131016.7

公开（公告）日：

2006-08-02

申请日：

2005-12-02

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

阿兰·洛伊休杰弗里·B·约翰逊约翰·埃利斯－莫纳汉

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒

优先权：

CN200510131016.7

主分类号：

H01L31/08

IPC分类号：

H01L31/08 H01L27/146 H01L31/18 H01L21/822

法律状态

2014-01-29 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101565522244
IPC(主分类) : H01L 31/08
专利号 : ZL2005101310167
申请日 : 20051202
授权公告日 : 20091125
终止日期 : 20121202

2012-04-11 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101328132001
IPC(主分类) : H01L 31/08
专利号 : ZL2005101310167
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 三星电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20120306

2009-11-25 ：

授权

2006-09-27 ：

实质审查的生效

2006-08-02 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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