有源像素传感器和有源像素传感器阵列
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摘要

一种CMOS有源像素传感器,其包括:光电二极管、传输晶体管、复位晶体管、叉指型源极跟随器晶体管和选择晶体管,其中,所述光电二极管响应入射光产生电荷,所述传输晶体管将存储在所述光电二极管中的电荷传输至感测节点,所述复位晶体管耦合至电源电压,其对所述感测节点的电压进行复位,使所述感测节点基本上具有电源电压的电平,所述叉指型源极跟随器晶体管对所述感测节点的电压进行放大,所述选择晶体管响应于选择信号将所述叉指型源极跟随器晶体管的源电极电压传输至内部电路,因此,可以增大所述源极跟随器晶体管的沟道长度,并降低由源极跟随器晶体管引起的MOS器件噪声。

基本信息
专利标题 :
有源像素传感器和有源像素传感器阵列
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1819630A
申请号 :
CN200610006730.8
公开(公告)日 :
2006-08-16
申请日 :
2006-02-07
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
金永灿金利泰
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
陶凤波
优先权 :
CN200610006730.8
主分类号 :
H04N5/335
IPC分类号 :
H04N5/335  H01L27/146  
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法律状态
2010-09-29 :
授权
2008-04-02 :
实质审查的生效
2006-08-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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