本实用新型提供光电传感器、可随机读取有源像素电路、图像传感器和相机装置。光电传感器包括掺杂区、衬底、掺杂源区、掺杂漏区和两隔离区；掺杂区设置于衬底底面，以与衬底形成光电二极管；且掺杂区形成有光电二极管的阴极，阴极用于接入正电压以使光电二极管工作在反偏区域；掺杂源区和掺杂漏区间隔设置于衬底的顶部，以与衬底形成场效应晶体管；掺杂源区顶面形成源极，掺杂漏区顶面形成漏极；两隔离区分别位于衬底的相对两侧，并分别自上而下从掺杂源区和掺杂漏区延伸至掺杂区处；衬底顶面自下而上依次形成有设置于掺杂源区和掺杂漏区之间的栅绝缘层和栅极；栅极用于接入电压以选择场效应晶体管的工作状态处于宽动态响应范围模式或高增益模式。