主动像素传感器
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种主动像素传感器，所述主动像素传感器包括：光伏二极管，用于根据感测到的光线产生光生电压；第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管的栅极与光伏二极管的阴极电连接，第二薄膜晶体管用于对光生电压进行放大处理；第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的第二极与第二薄膜晶体管的栅极，第一薄膜晶体管用于对第二薄膜晶体管的栅极电压进行复位处理；第三薄膜晶体管，第三薄膜晶体管的第一极与第二薄膜晶体管的第二极电连接，第三薄膜晶体管用于输出电压信号。通过采用光伏二极管感测光线，利用光伏二极管的光伏效应，在受到光照时产生电压信号，增大了光生电压，提高了主动像素传感器的输出电压的放大效果，提高了光产出效率。
基本信息
专利标题 ：
主动像素传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114323270A
申请号 ：
CN202111589111.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗志猛孙垒涛王思元张春鹏鲜于文旭
申请人 ：
武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟霞
优先权 ：
CN202111589111.7
主分类号 ：
G01J1/42
IPC分类号 ：
G01J1/42
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J1/00
光度测定法，例如照相的曝光表
G01J1/42
采用电辐射检测器
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01J 1/42
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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