形成具有不对称电介质区域的半导体器件的方法及其结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
一种用于形成半导体器件(10)的方法，包括形成半导体衬底(2)；在该半导体衬底上形成具有第一侧面和第二侧面的栅电极(16)；在栅电极之下形成栅极电介质。该栅极电介质具有位于栅电极之下并邻近栅电极的第一侧面的第一区域(42)、位于栅电极之下并邻近栅电极的第二侧面的第二区域(44)、以及位于栅电极之下并介于第一区域和第二区域之间的第三区域(14)，其中第一区域比第二区域薄，第三区域比第一区域薄且比第二区域薄。
基本信息
专利标题 ：
形成具有不对称电介质区域的半导体器件的方法及其结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101385133A
申请号 ：
CN200680003369.1
公开（公告）日 ：
2009-03-11
申请日 ：
2006-02-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
L.·马修V.·R.·克拉冈塔D.·C.·辛格
申请人 ：
飞思卡尔半导体公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
付建军
优先权 ：
CN200680003369.1
主分类号 ：
H01L21/425
IPC分类号 ：
H01L21/425 H01L23/58
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/42
用辐射轰击的
H01L21/423
带有高能辐射的
H01L21/425
产生离子注入的
法律状态
2017-11-17 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/425
变更事项 : 专利权人
变更前 : 飞思卡尔半导体公司
变更后 : 恩智浦美国有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国得克萨斯
变更后 : 美国得克萨斯
变更事项 : 专利权人
变更前 : 飞思卡尔半导体公司
变更后 : 恩智浦美国有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国得克萨斯
变更后 : 美国得克萨斯
2010-12-08 ：
授权
2009-05-06 ：
实质审查的生效
2009-03-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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