具有一连续渐变带隙半导体区域的半导体器件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种改进的半导体器件、诸如改进的渐变带隙晶体管和改进的渐变带隙二极管，其特征在于该器件由含有硅原子、调节带隙的原子和降低定域能级的原子的非单晶材料构成，并且该器件至少在非结位置的一个方位上还具有一个带隙连续渐变的区域，而且只有导带和价带之一是连续渐变的，即显著地改善了频率特性，又改善了光敏效应。
基本信息
专利标题 ：
具有一连续渐变带隙半导体区域的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87107592A
申请号 ：
CN87107592.X
公开（公告）日 ：
1988-10-12
申请日 ：
1987-09-25
授权号 ：
CN1009688B
授权日 ：
1990-09-19
发明人 ：
斋藤惠志藤冈靖
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
李强
优先权 ：
CN87107592.X
主分类号 ：
H01L29/14
IPC分类号 ：
H01L29/14 H01L29/66
法律状态
2003-11-19 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-03-20 ：
其他有关事项
1991-04-10 ：
授权
1990-09-19 ：
审定
1990-01-10 ：
实质审查请求
1988-10-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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