一种非对称MOSFET及半导体器件
授权
摘要
本实用新型提供一种非对称MOSFET及半导体器件，非对称MOSFET形成在绝缘体上硅衬底上，并且源极区的轻掺杂区的长度小于漏极区的轻掺杂区的长度，或者源极区没有轻掺杂区。由于绝缘体上硅衬底自身的特点，使得绝缘体上硅比体硅能够实现更浅的源漏结，因而能够制造更高速度的晶体管。尤其对于30nm以下的晶体管工艺，采用绝缘体上硅是提高晶体管速度的优良解决方案。本实用新型的非对称MOSFET与传统的非对称MOSFET制造工艺兼容，整个过程不会产生成本的提高。半导体器件中非对称MOSFET的不同的排布方式不需要增加光掩模版，也不会增加工艺控制的复杂度和倾斜角的控制难度，同时增加了实际电路使用中的丰富度。
基本信息
专利标题 ：
一种非对称MOSFET及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020198722.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-24
授权号 ：
CN211555897U
授权日 ：
2020-09-22
发明人 ：
刘森戴彬史林森刘筱伟
申请人 ：
微龛（广州）半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市高新技术产业开发区科学大道18号A栋十一层1101单元
代理机构 ：
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈敏
优先权 ：
CN202020198722.3
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/08 H01L29/06 H01L27/092
法律状态
2020-09-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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