在半导体本体内制造接触孔的方法以及半导体结构
授权
摘要
在来自这样结构的半导体本体(1)内制造接触孔(12)的方法，其中：在半导体本体(1)内提供了多个相互之间通过台面区(3)隔离的沟槽(2)，在沟槽(2)内提供电极(4)，电极通过第一绝缘层(6)与半导体本体(1)电绝缘，且电极的上端比沟槽的上端位于更深的深度。该方法包括如下两个步骤：通过使结构的表面经历热氧化处理来产生第二绝缘层(10)，它覆盖结构表面的至少部分(7、8、9)，且以半导体本体(1)在台面区(3)的区域暴露的方式进行平坦化处理，且使用在平坦化处理后剩余的第二绝缘层(10)的剩余物作为接触孔掩模以在台面区(3)形成接触孔(12)。
基本信息
专利标题 ：
在半导体本体内制造接触孔的方法以及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794434A
申请号 ：
CN200510125559.8
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·佩尔茨尔
申请人 ：
因芬尼昂技术股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
原绍辉
优先权 ：
CN200510125559.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-06-17 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
