第三代半导体接触窗结构及其制造方法
公开
摘要
本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种第三代半导体接触窗结构及其制造方法。所述制造方法包括：提供一衬底，在所述衬底上淀积一化合物外延层；通过蒸镀金属工艺在所述化合物外延层上淀积一第一金属层；在所述化合物外延层和所述第一金属层上淀积一隔绝层；在位于所述第一金属层上方的隔绝层上对应设置通孔并贯穿于所述隔绝层，其中，所述通孔的内壁为倾斜弧面；通过蒸镀金属工艺在所述隔绝层和所述通孔上淀积一第二金属层。有效防止金属溅镀工艺对化合物外延层表面的晶格结构破坏与杂质离子污染，并降低第三代半导体接触窗结构的接触阻抗。
基本信息
专利标题 ：
第三代半导体接触窗结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551340A
申请号 ：
CN202210042890.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈正培徐文凯柴佳欣
申请人 ：
深圳镓芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明区光明街道碧眼社区华强创意产业园4栋B座1006
代理机构 ：
深圳中创智财知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑一帆
优先权 ：
CN202210042890.7
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/538
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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