半导体结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种半导体结构。该半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的层间介质层及位于层间介质层中的金属互连结构；位于金属互连结构上方的电介质覆盖层，电介质覆盖层包括从下至上顺序堆叠的第一电介质层及第二电介质层，其中第一电介质层具有凹凸不平的上表面结构。本发明能够降低金属导线和绝缘介质引起的RC延迟。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388474A
申请号 ：
CN202011118950.6
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金志勋高建峰白国斌刘卫兵李俊杰
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京兰亭信通知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙峰芳
优先权 ：
CN202011118950.6
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/528
申请日 : 20201019
申请日 : 20201019
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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