半导体结构及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，特别涉及一种应用于晶体管栅极的界面层即高介电常数的半导体叠层结构及其制造方法。其利用HfO2上的Ti，以吸收界面层的氧原子，进而降低界面层的厚度，直至消失。而在Ti上生长TiO2将可帮助后续的HfO2生长。同时，TiO2的介电常数约为50，可大幅提高栅极介电层的等效介电常数。通过Ti可吸收氧，以降低Ti厚度，增加k值，并且降低EOT。此外，当热处理后，形成的TiO2同时可以增加k值。而在TiO2之中，漏电流将不会剧增。本发明将可以加速高介电常数的栅极电介质的应用，并对未来EOT的持续下降提供一个空间。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1949532A
申请号 ：
CN200510108572.2
公开（公告）日 ：
2007-04-18
申请日 ：
2005-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
裴静伟陈邦旭
申请人 ：
财团法人工业技术研究院
申请人地址 ：
中国台湾新竹县
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑小军
优先权 ：
CN200510108572.2
主分类号 ：
H01L29/40
IPC分类号 ：
H01L29/40 H01L29/78 H01L21/28 H01L21/336
法律状态
2010-07-21 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003336206
IPC(主分类) : H01L 29/40
专利申请号 : 2005101085722
公开日 : 20070418
号牌文件序号 : 101003336206
IPC(主分类) : H01L 29/40
专利申请号 : 2005101085722
公开日 : 20070418
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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