半导体结构及其制造方法

专利申请权、专利权的转移

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摘要

一种在半导体制造工艺中选择性地形成锗结构的方法，以化学氧化物去除(COR)工艺从氮化物表面去除自然氧化物，然后将加热的氮化物和氧化物表面暴露到加热的含锗的气体中，以选择性地只在氮化物表面上而不在氧化物表面上形成锗。

基本信息

专利标题：

半导体结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1933175A

申请号：

CN200610001285.6

公开（公告）日：

2007-03-21

申请日：

2006-01-12

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

阿希马·B·查克拉瓦蒂安东尼·艾·乔古川俊治史蒂文·J·霍姆斯韦斯利·C·纳特兹莱

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

王茂华

优先权：

CN200610001285.6

主分类号：

H01L29/00

IPC分类号：

H01L29/00 H01L21/205 H01L21/336

法律状态

2021-04-16 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/00
登记生效日 : 20210407
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯公司
变更后权利人 : 台湾积体电路制造股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 开曼群岛大开曼岛
变更后权利人 : 中国台湾新竹市

2017-12-05 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/00
登记生效日 : 20171115
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2017-12-05 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/00
登记生效日 : 20171115
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2009-12-16 ：

授权

2007-05-16 ：

实质审查的生效

2007-03-21 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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