半导体结构和半导体制造方法
授权
摘要
本发明实施例涉及半导体结构和半导体制造方法。本发明实施例揭示一种半导体结构。所述半导体结构包含：衬底；隔离区，其邻近于漏极区；栅极电极，其位于所述衬底上方且进一步向下延伸到所述衬底中，其中所述栅极电极在所述衬底的顶部表面下方的一部分邻接所述隔离区；以及源极区和漏极区，其形成于所述衬底中所述栅极结构的任一侧上。本发明实施例还揭示一种用于制造所述半导体结构的相关方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构和半导体制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109585550A
申请号 ：
CN201810199593.7
公开（公告）日 ：
2019-04-05
申请日 ：
2018-03-12
授权号 ：
CN109585550B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
李佳叡吴国铭林怡君
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
蒋林清
优先权 ：
CN201810199593.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336 H01L21/28
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2019-04-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20180312
申请日 : 20180312
2019-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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