半导体元件结构及其制造方法
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摘要
提供具有缩小的栅极端宽度的栅极结构的半导体元件结构及其制造方法。在一例子中，半导体元件结构包含数个栅极结构形成在数个鳍状结构上。栅极结构实质上垂直鳍状结构。栅极结构包含具有第一栅极端宽度的第一栅极结构以及具有第二栅极端宽度的第二栅极结构。其中，第二栅极端宽度小于第一栅极端宽度。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109273530A
申请号 ：
CN201710978729.X
公开（公告）日 ：
2019-01-25
申请日 ：
2017-10-19
授权号 ：
CN109273530B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
洪展羽王琳松陈郁仁黄一珊
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN201710978729.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/10
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法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-02-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20171019
申请日 : 20171019
2019-01-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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