半导体元件的结构与制造方法
授权
摘要
一种高压元件的制造方法，包括先于基底中形成第一导电类型掺杂区，再于基底中形成至少二个第二导电类型掺杂区。二个第二导电类型掺杂区分别设置于第一导电类型掺杂区两侧的基底中。第一导电类型掺杂区与此二个第二导电类型掺杂区之间分别设置有一个隔离区。之后，于二个第二导电类型掺杂区之间的基底上形成一个栅极结构。接着，于栅极结构两侧的基底中形成第二导电类型源极区/漏极区。藉由适当设定第一导电类型掺杂区与第二导电类型掺杂区间的距离，使高压元件可以满足不同的高击穿电压的需求。此制造方法可以与低压元件的制造整合在一起，而可以降低成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件的结构与制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815754A
申请号 ：
CN200510131717.0
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2005-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈立哲
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510131717.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L27/04 H01L21/336 H01L21/822
法律状态
2009-08-05 ：
授权
2006-10-04 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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