包含接触结构的半导体装置
授权
摘要
本发明提供一种包含接触结构的半导体装置。半导体装置包含限定下部有源区的隔离区。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区以及第一栅极电极和第二栅极电极在下部有源区上。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区邻近于彼此。第一栅极遮盖图案和第二栅极遮盖图案分别在第一栅极电极和第二栅极电极上。第一接触结构和第二接触结构分别在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区上。下部绝缘图案在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。上部绝缘图案在第一接触结构与第二接触结构之间。氧化硅具有相对于形成上部绝缘图案、第一栅极遮盖图案以及第二栅极遮盖图案的绝缘材料的刻蚀选择性。
基本信息
专利标题 ：
包含接触结构的半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107731921A
申请号 ：
CN201710325741.0
公开（公告）日 ：
2018-02-23
申请日 ：
2017-05-10
授权号 ：
CN107731921B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
全辉璨金昶和河大元
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市灵通区三星路129号
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
刘培培
优先权 ：
CN201710325741.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L29/417 H01L27/02 H01L23/535
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2019-09-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20170510
申请日 : 20170510
2018-02-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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