本发明涉及一种埋入式位线及其形成方法，埋入式位线形成于衬底内的位线沟槽中，埋入式位线包括：第一位线层，形成于位线沟槽中，且第一位线层的顶部低于衬底的表面第一阻挡层，至少部分形成于第一位线层和位线沟槽的内壁之间；第二位线层，形成于位线沟槽中，用于连通第一位线层和衬底内的漏极区。通过设置埋入式位线，可以有效降低存储器整体的寄生电容，改善数据信息传输的延迟的问题。而且，通过设置第一阻挡层，可以有效防止第一位线层的材料的扩散现象，即防止第一位线层的损伤，以避免第一位线层的导电性能降低、电阻增大的问题，从而进一步降低了埋入式位线的RC延迟，提高了存储器的数据传输速度和可靠性。