一种半导体器件制造工艺中位线空气间隔的形成方法
公开
摘要
本发明公开了一种半导体器件制造工艺中位线空气间隔的形成方法，属于半导体制造领域，包括步骤：在半导体器件制造工艺中形成位线后，在位线上依次顺序沉积SiN/C/SiN形成三层薄膜，在位线与位线之间形成连接凹槽，对连接凹槽进行填充形成接触；之后将位线侧壁上沉积的SiN/C/SiN层中最外层SiN层去除，使SiN/C/SiN层中的C层露出；然后进行等离子体灰化处理去除C层从而形成空气间隔；接着在形成的空气开口处的上部连续沉积第一金属层和第二金属层后，再进行图案化处理，形成位线空气间隔。本发明在不造成图案损坏的情况下使寄生电容减少，且实现不另外沉积封盖膜质以及空气间隔蚀刻工艺，从而使图案损伤最小化。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件制造工艺中位线空气间隔的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582796A
申请号 ：
CN202210483205.4
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭炳容
申请人 ：
成都高真科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区科新路8号附19号
代理机构 ：
成都九鼎天元知识产权代理有限公司
代理人 ：
周浩杰
优先权 ：
CN202210483205.4
主分类号 ：
H01L21/764
IPC分类号 ：
H01L21/764 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/764
空气隙
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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