一种接触窗的形成方法
授权
摘要
本发明公开了一种接触窗的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上依次设置有欧姆接触层、接触窗层和保护层；在保护层上形成开设有第一腔的光阻层；刻蚀去除第一腔下的保护层材料，在保护层上形成第二腔；采用第一混合气体刻蚀去除第二腔下的接触窗层材料，形成接触窗；其中，第一混合气体包括C5F8和CO，其中，C5F8生成CxFy聚合物和F离子，CxFy聚合物能保护保护层，CO与F离子形成的COF聚合物能在刻蚀接触窗层材料的过程中保护欧姆接触层。本发明提供的方法，用以解决现有技术中制备MEMS器件的接触窗，存在的所制备器件的良率和可靠性低的技术问题。实现了提高器件的良率和可靠性的技术效果。
基本信息
专利标题 ：
一种接触窗的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108751123A
申请号 ：
CN201810489030.1
公开（公告）日 ：
2018-11-06
申请日 ：
2018-05-21
授权号 ：
CN108751123B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
张光瑞马琳陆原
申请人 ：
赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2208号（集中办公区）
代理机构 ：
北京众达德权知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘杰
优先权 ：
CN201810489030.1
主分类号 ：
B81C1/00
IPC分类号 ：
B81C1/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C1/00
在基片内或其上制造或处理的装置或系统
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2018-11-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B81C 1/00
申请日 : 20180521
申请日 : 20180521
2018-11-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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