磁性随机存储器底电极接触及其形成方法
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摘要
本发明提供了磁性随机存储器底电极接触及其形成方法，采用在金属连线Mx(x>＝1)上制作底电极接触(BEC)或者通孔Vx(x>＝1)/底电极接触(BEC)的方法来代替通孔Vx(x>＝1)。同时，由于底电极接触(BEC)的顶部直径要大于后续的超薄势垒层的直径，那么，在底电极接触(BEC)周围的表面不平整将不会转移到后续的势垒层之上，非常有利于制作平整的超薄势垒层，有利于磁性隧道结磁性，电学和良率的提高，减少了工艺复杂程度和节约了制造成本。
基本信息
专利标题 ：
磁性随机存储器底电极接触及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108735895A
申请号 ：
CN201710244196.2
公开（公告）日 ：
2018-11-02
申请日 ：
2017-04-14
授权号 ：
CN108735895B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
张云森郭一民陈峻肖荣福
申请人 ：
上海磁宇信息科技有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路235号二号楼二层
代理机构 ：
上海容慧专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
于晓菁
优先权 ：
CN201710244196.2
主分类号 ：
H01L43/12
IPC分类号 ：
H01L43/12 H01L43/02
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法律状态
2022-04-01 ：
授权
2019-02-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/12
申请日 : 20170414
申请日 : 20170414
2018-11-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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