电极形成方法
授权
摘要
本发明提供一种透光性高、电阻低的透光性电极的制造方法。半导体发光元件(100)是在蓝宝石衬底上依次层叠了缓冲层(102)、非掺杂GaN层(103)、高载流子浓度n+层(104)、n型层(105)、发光层(106)、p型层(107)、p型接触层(108)而形成的，具有在至少存在氧的气氛下利用电子束蒸镀法或者离子电镀法形成、且之后进行烧制而形成的由ITO构成的透光性电极(110)。
基本信息
专利标题 ：
电极形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1755899A
申请号 ：
CN200510108052.1
公开（公告）日 ：
2006-04-05
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉田和广长谷川恭孝加贺广持
申请人 ：
丰田合成株式会社
申请人地址 ：
日本爱知县
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐谦
优先权 ：
CN200510108052.1
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L33/00 H01L31/18
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2009-03-25 ：
授权
2006-05-31 ：
实质审查的生效
2006-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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