外部电极形成方法
授权
摘要
本发明的目的是提供一种能够稳定地形成外部电极的电子部件的外部电极的形成方法。为了达到该目的，本发明的外部电极的形成方法，包括：在构成电子部件的芯片(30)的侧面(30a)，从与侧面(30a)相对的方向涂敷导体糊(20)形成电极部分(301a)的工序；在与侧面(30a)相对的芯片(30)的侧面(30b)，从与侧面(30b)相对的方向涂敷导体糊(20)形成电极部分(301b)的工序；在分别与侧面(30a)以及侧面(30b)相邻的芯片(30)的底面，形成与电极部分(301a)和电极部分(301b)连接的电极部分(301c)的工序；使芯片(30)干燥，形成由电极部分(301a)、电极部分(301b)、以及电极部分(301c)构成的外部电极(301)的工序。
基本信息
专利标题 ：
外部电极形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1808696A
申请号 ：
CN200510125843.5
公开（公告）日 ：
2006-07-26
申请日 ：
2005-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小野寺晃栗本哲户泽洋司中川诚一
申请人 ：
TDK株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200510125843.5
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2009-05-27 ：
授权
2006-09-20 ：
实质审查的生效
2006-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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