应用于图像传感器的接触孔形成方法
授权
摘要
本申请公开了一种应用于图像传感器的接触孔形成方法，涉及半导体制造领域。该方法包括形成传输栅极结构；在传输栅极结构两侧进行源漏区离子注入形成源漏区；在栅极侧墙的外侧形成辅助侧墙；依次形成金属硅化物阻挡层、刻蚀阻挡层、层间介质层；通过光刻工艺定义源漏区接触孔图案；通过刻蚀工艺依次去除源漏区接触孔图案对应的层间介质层、刻蚀阻挡层；采用预定刻蚀选择比刻蚀金属硅化物阻挡层形成源漏区接触孔；在刻蚀金属硅化物阻挡层的过程中，金属硅化物阻挡层的刻蚀速率大于辅助侧墙的刻蚀速率；解决了制作CIS器件时减小源漏区注入面积可能会导致器件性能不合格的问题；达到了保证CIS器件性能的效果。
基本信息
专利标题 ：
应用于图像传感器的接触孔形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112259568A
申请号 ：
CN202011139697.2
公开（公告）日 ：
2021-01-22
申请日 ：
2020-10-22
授权号 ：
CN112259568B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
张栋黄鹏
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
罗雅文
优先权 ：
CN202011139697.2
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-02-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20201022
申请日 : 20201022
2021-01-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
