源极/漏极接触件的形成方法及半导体器件的形成方法
授权
摘要
一种方法包括提供结构，其中，该结构含有衬底、衬底上方的栅极结构、以及与栅极结构相邻的含有硅锗(SiGe)的源极/漏极(S/D)部件。该方法还包括将镓(Ga)注入到S/D中；在第一温度的条件下实施第一退火工艺以再结晶SiGe；在第一退火工艺之后，在S/D上方沉积包括金属的导电材料；在第二温度的条件下实施第二退火工艺，以引起金属和S/D之间的反应；以及在第三温度条件下实施第三退火工艺，以激活S/D中含有Ga的掺杂剂。本发明的实施例还提供了半导体器件的形成方法。
基本信息
专利标题 ：
源极/漏极接触件的形成方法及半导体器件的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109841671A
申请号 ：
CN201811007588.8
公开（公告）日 ：
2019-06-04
申请日 ：
2018-08-31
授权号 ：
CN109841671B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
沙哈吉B.摩尔蔡俊雄张世杰游国丰彭成毅
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201811007588.8
主分类号 ：
H01L29/417
IPC分类号 ：
H01L29/417 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2019-06-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/417
申请日 : 20180831
申请日 : 20180831
2019-06-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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