开口的形成方法以及接触窗的形成方法
授权
摘要
一种开口的形成方法，此形成方法为，在材料层上形成介电层，接着在介电层上依序形成金属硬掩模层与顶盖层。然后，在顶盖层上形成图案化的光致抗蚀剂层，且图案化的光致抗蚀剂层暴露出部分顶盖层表面。随后，进行一第一蚀刻步骤，以图案化的光致抗蚀剂层为掩模，移除部分顶盖层与金属硬掩模层，直至暴露出介电层表面。继之，移除图案化的光致抗蚀剂层，然后进行一第二蚀刻步骤，以顶盖层与金属硬掩模层为掩模，移除部分介电层，以形成一开口。
基本信息
专利标题 ：
开口的形成方法以及接触窗的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941294A
申请号 ：
CN200510108837.9
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
叶建辉施继雄蓝天呈周梅生
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510108837.9
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01L21/32 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2008-11-19 ：
授权
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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