接触窗开口的制造方法
专利权的终止
摘要
一种接触窗开口的制造方法。首先于基底上形成一层掩模层，再于掩模层中沿两个方向分别形成多个沟槽。此两个方向互相交错。沟槽的深度不大于掩模层的厚度，但于沟槽与沟槽交错处的掩模层会形成开口，此开口暴露基底。移除开口所暴露的部分基底，以在基底中形成接触窗开口。在光刻工艺中，由于形成线状图案较形成点状图案容易控制，因此可精确地掌控接触窗开口的尺寸。
基本信息
专利标题 ：
接触窗开口的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101005026A
申请号 ：
CN200610005889.8
公开（公告）日 ：
2007-07-25
申请日 ：
2006-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈高惇萧立东
申请人 ：
力晶半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610005889.8
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2011-03-30 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101060488298
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利号 : ZL2006100058898
申请日 : 20060119
授权公告日 : 20090318
终止日期 : 20100219
号牌文件序号 : 101060488298
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利号 : ZL2006100058898
申请日 : 20060119
授权公告日 : 20090318
终止日期 : 20100219
2009-03-18 ：
授权
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2007-07-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
