双接触孔实现方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种双接触孔实现方法，提供衬底，衬底形成有隔离沟槽以形成台面结构，用于定义出衬底的有源区，有源区上形成有晶体管结构，晶体管结构包括多个电极，每个电极间均具有间隙；在衬底上形成覆盖多个电极的层间介质层；刻蚀层间介质层以及其下方相邻的两个电极，以形成两个电极共用的接触孔；填充接触孔形成导电层。本发明通过将基极接触孔和发射级接触孔集成为一个共用接触孔的方法，增加了接触孔至沟槽的间距。在此新工艺设计基础上，可以生产出台面更小的IGBT器件，得到更优的IGBT器件。
基本信息
专利标题 ：
双接触孔实现方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496910A
申请号 ：
CN202210022076.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
潘嘉杨继业孙鹏张同博
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘昌荣
优先权 ：
CN202210022076.9
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/331
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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