实现探针与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法
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摘要
本发明涉及一种电学测量过程中实现探针针尖与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法，其特征在于将测试探针和待测样品串联到一外围直流电路中，缓慢调节探针升降旋钮，先粗调后细调，当探针针尖和样品表面接触时，外围直流电路导通，串接在直流回路中的报警器报警，表明针尖与样品已经接触上，可以进行样品的电学性能测量；具有有效地保护样品，避免纳米电极和相变材料被针尖划伤甚至扎穿，造成上、下电极短路；可以保护针尖本身，避免压力过大使针尖翘曲、变形，甚至断裂；可以实现低温、高温或其它环境下探针与电极的可靠接触。
基本信息
专利标题 ：
实现探针与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832050A
申请号 ：
CN200610023827.X
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋志棠吴良才刘波封松林
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
潘振甦
优先权 ：
CN200610023827.X
主分类号 ：
G11C29/00
IPC分类号 ：
G11C29/00 G01R31/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
法律状态
2011-09-21 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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