用于含MTJ器件的增强单元件底部电极
实质审查的生效
摘要

电介质材料结构在横向上与底部电极含金属部分的底部部分相邻地形成,该底部电极含金属部分从嵌入在互连电介质材料层中的导电结构向上延伸。然后修整底部电极含金属部分的物理暴露的顶部部分以提供整体构造(即,单件)的底部电极,该底部电极具有下部和上部,下部具有第一直径,上部具有大于第一直径的第二直径。介电材料结构的存在防止所得底部电极倾斜和/或弯曲。由此,提供稳定的底部电极。

基本信息
专利标题 :
用于含MTJ器件的增强单元件底部电极
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114287068A
申请号 :
CN202080060022.0
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2020-08-20
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
B.多里斯E.加利甘N.马查克P.哈什米
申请人 :
国际商业机器公司
申请人地址 :
美国纽约阿芒克
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
王蕊瑞
优先权 :
CN202080060022.0
主分类号 :
H01L43/08
IPC分类号 :
H01L43/08  
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/08
申请日 : 20200820
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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