增强型GaN HEMT器件
授权
摘要
本申请提供一种增强型GaN HEMT器件，属于半导体器件技术领域。增强型GaN HEMT器件的衬底表面设置有目标掩膜；GaN沟道层设置于目标掩膜表面和衬底未设置目标掩膜的表面，且表面具有与目标掩膜位置对应的凹槽。器件在制备中能避免刻蚀势垒层对器件造成损伤，能够提高器件的可靠性；且工艺可控性好，便于规模化制备。
基本信息
专利标题 ：
增强型GaN HEMT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021728202.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-18
授权号 ：
CN212257405U
授权日 ：
2020-12-29
发明人 ：
汪洋左朋王世卓荦杨浩军王晓晖丁国建张宇超冯琦王海玲贾海强陈弘
申请人 ：
松山湖材料实验室
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
唐菲
优先权 ：
CN202021728202.5
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/423 H01L21/335
法律状态
2020-12-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
