N极性增强型HEMT器件结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种N极性增强型HEMT器件结构及其制备方法，该结构包括N极性增强型HEMT器件主体；N极性增强型HEMT器件主体的沟道层与栅极之间设置极性中和复合栅结构，极性中和复合栅结构包括沿自沟道层至栅极方向依次设置均能与沟道层结合产生极化电荷的第一极性中和层和第二极性中和层，第一极性中和层和第二极性中和层不同的氮化物材料制成。由此，不仅可以通过第二极性中和层来保证极性中和复合栅结构的厚度，提高用于中和二维电子气的极化电荷浓度，或结合p型掺杂极性中和复合栅结构，来增加HEMT器件的阈值电压；还能通过第一极性中和层和第二极性中和层相反应力的调节，降低器件栅处应力，提升器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
N极性增强型HEMT器件结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284357A
申请号 ：
CN202111624435.X
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾巧玉李成果葛小明尹雪兵姜南陈志涛
申请人 ：
广东省科学院半导体研究所
申请人地址 ：
广东省广州市天河区长兴路363号
代理机构 ：
北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李彬彬
优先权 ：
CN202111624435.X
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/205 H01L21/335
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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