一种基于氧化腐蚀的增强型GaN PMOS器件及制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种基于氧化腐蚀的增强型GaN PMOS器件及制备方法，制备方法包括步骤：在衬底上依次生长成核层、GaN缓冲层、AlGaN背势垒层、GaN沟道层、p型AlGaN层和p型GaN帽层；将栅区域的p型GaN帽层刻蚀掉，露出p型AlGaN层；对露出的p型AlGaN层和p型GaN帽层进行选择性氧化，使得p型AlGaN层形成氧化AlGaN层；湿法腐蚀氧化AlGaN层以露出GaN沟道层，形成栅凹槽结构；在栅凹槽结构一侧的p型GaN帽层上制备源极，另一侧的p型GaN帽层上制备漏极；在源极、漏极、p型GaN帽层和栅凹槽结构的表面制备介质层；在介质层上制备栅极。该制备方法不仅在保证刻蚀深度的同时避免了过腐蚀，而且保护沟道不受等离子体刻蚀损伤，得到较好的表面形貌，降低表面态对沟道迁移率的影响。
基本信息
专利标题 ：
一种基于氧化腐蚀的增强型GaN PMOS器件及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334656A
申请号 ：
CN202111315948.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张涛
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202111315948.2
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20211108
申请日 : 20211108
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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