一种增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
一种增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法，属于HEMT器件制备技术领域，该HEMT器件中的异质结构包括沟道层和势垒层，沟道层和势垒层之间由上而下依次设置有半导体插入层Ⅰ和沟道控制层；沟道控制层的上方通过刻蚀形成凹栅区，凹栅区与势垒层的上表面覆盖有钝化层，栅极设置在凹栅区的钝化层上表面，源极和漏极分别穿过钝化层形成在沟道层的上表面，本发明的有益效果是，本发明在凹槽栅制作时实现了蚀刻自停止，实现了最优的沟道控制，增强了整体的极化效应，提高了二维电子气浓度，提升了器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284340A
申请号 ：
CN202111528409.7
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王梓霖王敬赵清单卫平赵海明钮应喜袁松张晓洪左万胜钟敏史田超
申请人 ：
芜湖启迪半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟迪
优先权 ：
CN202111528409.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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