增强型氮化镓器件位移损伤效应的测试方法及系统
公开
摘要
本发明公开了一种增强型氮化镓器件位移损伤效应的测试方法及系统，该方法包括：将待测器件进行分组编号，得到增强型氮化镓器件组和耗尽型氮化镓器件组；将增强型氮化镓器件组和耗尽型氮化镓器件组进行电学性能测试，并记录第一测试结果；将增强型氮化镓器件组和耗尽型氮化镓器件组进行质子辐照；将质子辐照后的增强型氮化镓器件组和耗尽型氮化镓器件组进行电学性能测试，并记录第二测试结果；基于增强型氮化镓器件组的第二测试结果和第一测试结果的比较分析，得到第一比较结果；基于耗尽型氮化镓器件组的第二测试结果和第一测试结果的比较分析，得到第二比较结果；基于第一比较结果和第二比较结果确定待测器件对位移损伤效应电荷收集的敏感区域。
基本信息
专利标题 ：
增强型氮化镓器件位移损伤效应的测试方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114624561A
申请号 ：
CN202210252228.4
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭红霞白如雪张鸿张凤祁胡嘉文刘益维钟向丽欧阳晓平
申请人 ：
湘潭大学
申请人地址 ：
湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号
代理机构 ：
北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈超
优先权 ：
CN202210252228.4
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01N23/2255 G01N23/2202
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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