一种辐照总剂量与电磁干扰协合损伤效应测试系统与方法
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摘要

本发明公开了一种辐照总剂量与电磁干扰协合损伤效应测试系统与方法,该系统包括射频信号源、射频功分器、恒压电压源、半导体参数测试仪、矩阵开关、上位机、辐照测试板以及测试样品板;射频信号源提供任意频率和幅值的电磁干扰信号,经过一分多射频功分器注入到多个测试样品之中;恒压电压源通过半导体参数测试仪为测试样品提供偏置电压;半导体参数测试仪通过矩阵开关可以同时连接多个测试样品,并为其设置不同偏置状态;通过上位机程序操控半导体参数测试仪,设置不同测试任务及为测试样品设置不同参数,完成参数测试;测试样品固定于辐照测试板上放置在辐照间接受粒子辐照;从而实现了辐照总剂量与电磁干扰协合损伤效应的测试。

基本信息
专利标题 :
一种辐照总剂量与电磁干扰协合损伤效应测试系统与方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111781445A
申请号 :
CN202010575638.3
公开(公告)日 :
2020-10-16
申请日 :
2020-06-22
授权号 :
CN111781445B
授权日 :
2022-05-06
发明人 :
刘书焕黄泰燚李卓奇张坤李龙刘双瑛张君阿米尔许江涛张国和陈伟
申请人 :
西安交通大学
申请人地址 :
陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
代理机构 :
西安智大知识产权代理事务所
代理人 :
何会侠
优先权 :
CN202010575638.3
主分类号 :
G01R31/00
IPC分类号 :
G01R31/00  G01R29/08  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/00
电性能的测试装置;电故障的探测装置;以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置;在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L21/66;线路传输系统的测试入H04B3/46)
法律状态
2022-05-06 :
授权
2020-11-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/00
申请日 : 20200622
2020-10-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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