一种功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台
公开
摘要
本发明公开了一种功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台，包括测试板、上位机和外加电源。测试板包括电源转换模块、DSP模块、若干大功率碳化硅MOSFET栅极驱动模块以及若干大功率碳化硅MOSFET开关管。测试板上设有多个待测器件，大功率碳化硅MOSFET开关管用于控制各待测器件的导通与关闭。外加电源的高压直流电源用于给待测器件施加漏源电压，负低压电源用于给待测器件施加一个负的栅源电压。本发明可通过上位机选择具体某一个待测器件进行SEB测试，从而在人机交互界面实时显示出辐照时，器件在关断状态下，可获得器件的SEB阈值电压，从而为其辐射环境应用的选型及防护加固提供技术支持。
基本信息
专利标题 ：
一种功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114295951A
申请号 ：
CN202111540865.3
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孟洋蒋煜琪薛玉雄曹荣幸李林欢黄鑫汪珂佳曾祥华
申请人 ：
扬州大学
申请人地址 ：
江苏省扬州市大学南路88号
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈建和
优先权 ：
CN202111540865.3
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R1/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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