一种增强型GaN HEMT射频器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种增强型GaN HEMT射频器件及其制备方法，所述器件包括衬底、第一AlN插入层、GaN缓冲层、GaN沟道层、第二AlN插入层、AlGaN势垒层、p‑AlGaN层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极。本发明通过在真空度极高的情况下，采用Mg金属掺杂扩散AlGaN层并形成p‑AlGaN，与未被掺杂的AlGaN层形成p‑n结，耗尽栅下的2DEG，并覆盖一层HfO2来防止金属Mg发生氧化，从而实现了高频、低损耗的增强型射频器件，有利于简化栅驱动电路设计，降低射频集成电路的功耗和射频信号的损耗，同时也起到了安全保护电路的作用。
基本信息
专利标题 ：
一种增强型GaN HEMT射频器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373798A
申请号 ：
CN202111475724.8
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李国强吴能滔邢志恒李善杰曾凡翊罗玲
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
王东东
优先权 ：
CN202111475724.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211206
申请日 : 20211206
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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