射频器件
授权
摘要
射频器件。一种微波或射频RF器件包括基板，该基板包括电绝缘材料。该基板具有第一表面和与第一表面平行的第二表面。该RF器件还包括设置在基板的第一表面上的RF组件。该RF器件还包括设置在基板的第二表面上的导电层，导电层形成与RF组件电绝缘的接地平面。该RF器件还包括设置在基板的与第一表面共面的表面上的缺陷接地结构，其中，该缺陷接地结构电连接到导电层，并且其中，该缺陷接地结构包括与RF组件相邻并且相对于RF组件横向延伸的多个横向延伸构件。
基本信息
专利标题 ：
射频器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020727716.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-06
授权号 ：
CN211789401U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
G·奥尔顿
申请人 ：
楼氏卡泽诺维亚公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
师玮
优先权 ：
CN202020727716.2
主分类号 ：
H01P1/20
IPC分类号 ：
H01P1/20 H01P1/203 H01P3/10 H01P1/00 H01R4/64
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法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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