射频DMOS功率器件

专利权的终止

摘要

射频DMOS功率器件，属于半导体功率器件技术以及射频集成电路技术领域。在现有部分SOI射频DMOS功率器件中，在部分氧化绝缘层下方加入低掺杂的n(或p)埋层，做成具有埋层的部分SOI射频DMOS器件，利用PN结原理增加漏区/外延层结的下极板结电容对应的耗尽宽度，以此来降低输出电容，从而提高器件的输出功率；用部分空隙绝缘层代替部分氧化绝缘层，也可做成部分SON射频DMOS器件，利用空隙相对介电常数为1的性质来减小器件的输出电容并提高器件的输出功率；利用部分空隙绝缘层和低掺杂的n(或p)埋层还可做成具有埋层的部分SON射频DMOS器件，能够更好的降低器件输出电容和提高输出功率。本发明所述器件工作在微波段频率下，同时耐压性能更高，散热性能和频响性能也能够得到保证。

基本信息

专利标题：

射频DMOS功率器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1828942A

申请号：

CN200610020175.4

公开（公告）日：

2006-09-06

申请日：

2006-01-19

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李泽宏王小松张波李肇基王一鸣王卓杨舰

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

610054四川省成都市建设北路二段四号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN200610020175.4

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/36

法律状态

2015-03-18 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101601341170
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006100201754
申请日 : 20060119
授权公告日 : 20080702
终止日期 : 20140119

2009-06-24 ：

专利实施许可合同的备案

授权公告日 : 20080702
许可种类 : 排他许可
备案日期 : 2009.4.7
合同备案号 : 2009320000553
让与人 : 电子科技大学
受让人 : 无锡华润华晶微电子有限公司
发明名称 : 射频DMOS功率器件
申请日 : 20060119
合同履行期限 : 2009.3.2至2012.3.1合同变更

2008-07-02 ：

授权

2006-10-25 ：

实质审查的生效

2006-09-06 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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